Breakdown behaviour of silicon insulation with differently doped layers under DC stress

verfasst von
Mirnes Aganbegović, Mohammad Taghi Imani, Peter Werle
Organisationseinheit(en)
Fachgebiet Hochspannungstechnik und Asset Management (Schering-Institut)
Institut für Elektrische Energiesysteme
Typ
Aufsatz in Konferenzband
Seiten
221-230
Anzahl der Seiten
10
Publikationsdatum
2020
Publikationsstatus
Veröffentlicht
Peer-reviewed
Ja
ASJC Scopus Sachgebiete
Wirtschaftsingenieurwesen und Fertigungstechnik
Elektronische Version(en)
https://doi.org/10.1007/978-3-030-31680-8_23 (Zugang: Geschlossen)